钼酸铋半导体光催化剂的研究新进展
张璐1, 白永庆2, 易均辉3,*
1.中国检验认证集团广西有限公司,广西 防城港 538001
2.防城港市审计局,广西 防城港 538001
3.广东石油化工学院化学工程学院,广东 茂名 525000
通讯联系人:易均辉,1983年生,男,江西省宜春市人,博士,主要从事光催化新材料研究。E-mail:yjh0710@163.com

作者简介:张 璐,1982年生,女,山西省长治市人,主要从事化学化工检测及光催化新材料研究。

摘要

钼酸铋拥有典型的Aurivillius型结构,主要由(Bi2O2)2+层及MoO6钙钛片层状结构组成,显示出良好的光催化性能,广泛用于有机污染物的降解,成为近年来最受关注的一类可见光催化材料。综述钼酸铋半导体光催化剂的制备方法,以及通过构建异质结、掺杂、固溶体、金属沉积、量子点等改性措施提高其光催化活性,归纳和总结钼酸铋光催化剂在催化氧化反应、降解有机废水、电化学储能和CO2的还原、气体传感器等方面的应用,并对钼酸铋光催化剂发展进行展望。

关键词: 催化剂工程; 钼酸铋; 制备方法; 改性研究
中图分类号:O644;TQ034    文献标志码:A    文章编号:1008-1143(2019)07-0001-06
New research progress of bismuth molybdate semiconductor photocatalyst
Zhang Lu1, Bai Yongqing2, Yi Junhui3,*
1.Guangxi Division of China Certification & Inspection Group Co.,Ltd.,Fangchenggang 538001,Guangxi,China
2.Fanggangcheng Municipal Audit Bureaau,Fangchenggang 538001,Guangxi,China
3.College of Chemical Engineering,Guangdong University of Petrochemical Technology,Maoming 525000,Guangdong,China
Abstract

Bismuth molybdate,with a typical Aurivillius-type structure,is composed of (Bi2O2)2 + layer and MoO6 perovskite layer,and shows good photocatalytic performance.It is widely used in the degradation of organic pollutants and becomes one of the most concerned visible photocatalytic materials in recent years.In this paper,the preparation methods of Bi2MoO6 semiconductor photocatalyst in recent years are summarized.The photocatalytic activity of Bi2MoO6 semiconductor photocatalyst is improved by constructing heterojunctions,doping,solid solution,metal deposition and quantum dot modification.Finally,the applications of bismuth molybdate photocatalyst in catalytic oxidation,organic wastewater treatment,electrochemical energy storage,CO2 reduction and gas sensors are summarized,and the future development of bismuth molybdate photocatalyst is prospected.

Keyword: catalyst engineering; bismuth molybdate; preparation method; modification research

近年来, 随着印染行业的加速发展, 染料有机废水污染问题日益严重, 传统的化学沉淀法、生物处理工艺和气浮法对这类废水的处理效果不佳。光催化技术是一种很有前途的净化环境方法。目前, 光催化反应的量子产率较低, 离实际应用还有很大的差距。原因主要有:1)高稳定性的半导体材料带隙较宽, 如TiO2和SrTiO3等, 对太阳光的吸收仅限于紫外区(λ ≤ 400 nm), 限制了对太阳能的利用效率, 而对可见光响应较好的光催化剂存在光腐蚀现象, 如CdS和CdSe等, 难以保证对太阳能的高效利用; 2)光生载流子在半导体光催化剂表面和体相的复合率高, 导致量子效率很低。

目前已报道的可见光响应光催化剂包括铋系半导体、银系半导体和石墨相氮化碳(g-C3N4)。钼酸铋由于铋元素储量丰富, 独特的6s价带结构, 较高的可见光吸收, 在可见光下可降解有机污染物等优点, 成为当前研究较多的一类可见光催化材料。广义钼酸铋化学式为Bi2O3.nMoO3(n=3、2、1), 包含α -Bi2Mo3O12、β -Bi2Mo2O9和γ -Bi2MoO6等多种相态[1, 2, 3, 4], 其中, α -Bi2Mo3O12和β -Bi2Mo2O9可认为是缺陷萤石结构, γ -Bi2MoO6是一种典型的Aurivillius型结构[5], 由(Bi2O2)2+层及MoO6钙钛片层状结构组成。γ -Bi2MoO6具有适当的带隙能(2.7 eV), 能够捕获可见光, 显示出良好的光催化性能, 广泛用于有机污染物的降解。

本文综述近年来γ -Bi2MoO6光催化剂的制备方法, 提高其光催化活性的改性方法及应用领域, 并展望今后钼酸铋的发展。

1 制备方法

合成Bi2MoO6的主要方法包括溶剂热法、微波法、模板法, 热分解法, 其中溶剂热法是最常用的方法。

1.1 溶剂热法

Tian Guohui等[6]以乙二醇为溶剂, 在没有任何模板条件下, 采用溶剂热法制备出一种花状中空微球结构的Bi2MoO6颗粒, 合成过程如图1所示, 探讨了反应时间对Bi2MoO6形成机制的影响。结果表明, 该催化剂具有优异的可见光催化活性, 光照2 h, 对罗丹明的脱色率达到95%, 活性优于P25催化剂。

图1 花状Bi2MoO6中空球的形成机制Figure 1 Formation mechanism of a hierarchical flower-like Bi2MoO6 hollow sphere

1.2 微波法

Xie Huidong等[7]以Bi(NO3)3、NH3和MoO3为原料, 采用微波水热法成功合成Bi2MoO6纳米板。与水热法相比, 微波水热法的反应条件比较温和, 反应温度和保温时间对合成的Bi2MoO6形貌有明显的影响。在最佳反应温度140 ℃, 保温时间1 h的条件下, 制备的样品具有较高的光催化活性。

1.3 模板法

Zhang Mingyi等[8]以电纺聚丙烯腈(PAN)微纤维为结构导向的硬模板, 采用乙二醇溶剂热法, 合成具有核壳结构的PAN/BMO复合超细纤维。然后通过热处理转移PAN/BMO中的PAN壳体, 得到管状结构的Bi2MoO6。制备的Bi2MoO6具有中空多通道结构和大表面积, 光催化性能大大改善, 且易于回收。

Ma Ying等[9]以MoO3纳米颗粒为生长模板和钼酸来源, 通过回流与Bi(NO3)3水溶液反应制备一维纳米片框架结构的Bi2MoO6, 合成过程如图2所示。相比Bi2MoO6纳米片和纳米颗粒, 该一维 Bi2MoO6纳米片构建框架表现出更高的光催化活性和光电性能。层次化纳米片框架结构的合理构建是开发对可见光敏感的高效光催化剂的有效技术。

图2 Bi2MoO6纳米片框架合成示意图Figure 2 Schematic synthesis of Bi2MoO6nanosheet framework

1.4 热分解法

Imani M等[10]利用四水合七钼酸铵和五水硝酸铋为原料, 在乙酰胺/硝酸铵为驱动/氧化剂条件下, 按原料中的Mo:Bi物质的量比1:2在球磨机中球磨60 min后, 将混合物在450 ℃退火2 h, 制备钼酸铋催化剂。研究了球磨时间、驱动剂等参数对催化剂形貌的影响。对煅烧前得到的前驱体进行表征和讨论, 并提出了可能的合成机理。以罗丹明B和甲基橙作为有机染料污染物模型的水溶液为原料, 测试了最佳制备条件下得到的催化剂活性。

2 提高光催化活性的方法

由于单一组分的B2MoO6光生电子-空穴对分离效率较低, 催化活性不够高, 制约了其大规模的工业化应用。因此, 如何构建更有效的光催化体系, 促进铋系复合氧化物的电荷分离效率是研究的重点。

2.1 构建异质结

半导体复合是构建异质结最为有效的方式, 可实现两种半导体材料的“ 优势互补, 强强联合” , 具有一定的协同效应。

Yi Juihui等[11]采用离子交换水热法合成具有可见光催化活性的异质结Bi2O3/Bi2MoO6杂化花状微球, 在可见光照射下酸性橙Ⅱ 降解反应中评价该异质结的光催化活性。研究发现, 异质结构Bi2O3/Bi2MoO6纳米复合材料可见光催化活性高, 稳定性好, 这主要是由于Bi2O3和Bi2MoO6带隙的协同效应促进了Bi2MoO6光生电荷的有效分离。

Liang Jialiang等[12]采用溶剂热沉淀法制备Z型AgI/Bi2MoO6复合光催化剂, 具有良好的杀灭革兰阴性大肠杆菌和革兰阳性金黄色葡萄球菌性能。

Zhang Junlei等[13]采用溶剂热沉积-沉淀法制备了由花状Bi2MoO6微球和分散良好的Ag2O纳米颗粒组成的Ag2O/Bi2MoO6异质结光催化剂, 可见光降解罗丹明B和甲基橙染料的活性高于Bi2MoO6 或Ag2O及Ag2O和Bi2MoO6混合物。

2.2 掺杂改性

元素掺杂是提高光催化性能的有效途径, 在晶体结构中引入某种元素可以导致晶体缺陷及改善大部分半导体的性能。元素掺杂包括金属掺杂和非金属掺杂, 如F掺杂, Pd掺杂[14], W掺杂, Ce掺杂[5, 15], B掺杂[16]等。

Yu Changlin等[17]研究F掺杂Bi2MoO6, 发现氟化的Bi2MoO6对去除染料、苯酚、双酚A和4-氯苯酚等不同有机物表现出较高光催化活性, 原因在于氟化Bi2MoO6物理化学性能的改善和光生电子-空穴对的高效率分离。

Anukorn Phuruangrat等[18]通过水热法制备W掺杂Bi2MoO6光催化剂, 探讨掺杂量对Bi2MoO6光催化性能的影响, 发现W质量分数3%的Bi2MoO6样品对罗丹明B具有较高的光降解效率。

2.3 合成固溶体

目前, 主要将Bi2MoO6与Bi2WO6混合制备Bi2MoO6基固溶体, 提高Bi2MoO6光催化活性。

Zhou Liang等[19]通过固相反应或机械化学活化, 将Bi2MoO6与Bi2WO6整合成固溶体Bi2MoxW1-xO6, 其中Bi2Mo0.25W0.75O6的性能最优。W增强固溶体光催化活性, Mo有助于形成窄带隙, 使合成的固溶体具有整合优势, 光催化性能优于Bi2MoO6或Bi2WO6

Li Wenqi等[20]首次报道阴离子交换法制备具有微球结构的Bi2MoxW1-xO6固溶体。Bi2MoxW1-xO6样品均呈现无二次相Aurivillius型晶体结构, 表明在完全固溶体中, 随着x值的增加, Bi2MoxW1-xO6固溶体的带隙能降低, 光吸收边移向较长波长。拉曼光谱研究表明, 随着Mo6+离子逐渐取代Bi2WO6中的W位, 正交畸变增加。相比Bi2MoO6和Bi2WO6样品, Bi2Mo0.4W0.6 O6样品对罗丹明B染料降解表现出较高的光催化活性和循环稳定性。

2.4 表面金属沉积

贵金属-半导体杂化是提高光催化性能的一种有效策略。贵金属纳米粒子与半导体光催化剂的结合表现出电子穴的作用, 在金属-半导体纳米复合材料界面, 通过肖特基势垒, 加速电荷转移。

Shen Huidong等[21]将Ag、表面氧空位(SOV)引入Bi2MoO6表面构建新型富氧Ag/Bi2MoO6/SOV光催化剂, 研究其在可见光照射下对苯酚和4-硝基苯酚的降解。结果表明, 质量分数2%Ag/Bi2MoO6/SOV-375样品光催化活性最高, 是纯Bi2MoO6催化剂的26.5倍, 苯酚和4-硝基苯酚降解率分别为约100%和80%。

稀有贵金属成本高, 极大的限制了其大规模应用。作为低成本的贱金属, 铋具有直接等离子体光催化能力, 是替代贵金属的良好选择。Zhao Zaiwang等[22]合成的Bi/Bi2MoO6光催化剂表现出优异的光化学稳定性。采用廉价金属替代贵金属合成半金属半导体纳米复合光催化剂将为半导体光催化剂的实际应用铺平道路。

2.5 量子点改性

近年来, 碳量子点(C QDS)和硫化镉(CdS QDs)被用来改性Bi2MoO6半导体以增强其光催化活性。量子点系统不仅可作为穿梭电子的电子介导, 有效分离界面处光生载体, 还可用作吸收太阳光的光敏器件及光降解污染物活性中心。

Sun Chaoyang等[23]通过一锅水热法合成C QDs/Bi2MoO6异质结光催化剂, 该复合材料具有优良的光催化降解罗丹明B和亚甲蓝活性和稳定性, 当Bi2MoO6和葡萄糖的质量比为1:1时, 对罗丹明B和亚甲蓝的降解活性最高。

Kandit Debasmita等[24]以葡萄糖为还原剂, 采用水热法合成CdS量子点自掺杂的Bi2MoO6催化剂, 并用于Cr(VI)还原和苯酚降解。结果表明, 质量分数3%CdS QDs敏化自掺杂Bi2MoO6对Cr(VI)的还原和苯酚的降解率最高, 分别达到97%和47.5%, 重复使用5次, 催化剂活性未降低。

3 实际应用
3.1 氧化反应

Jing Kaiqiang等[25]采用原位组装制备Bi2MoO6单层纳米片微球。XPS和原位ESR分析表明制备的催化剂中存在两种氧空位(Vo-rich和Vo-poor)。可见光照射下, 苯甲醇氧化制备苯甲醛反应中, 两种氧空位的苯甲醇转化率分别为38.2%和7.1%, 选择性分别是99%和91%。Vo-rich的高活性主要归因于富氧空位是反应物活化位点。

Cai Kai等[26]以MoO3为前驱体, 乙二醇为溶剂, 采用溶剂热法制备厚度约6 nm的Bi2MoO6纳米片。这种超薄片状结构, 有利于电子的分离和传递, 在可见光照射下表现出超强的甲苯选择性氧化制备苯甲醛活性, 甲苯转化率约12.7%, 苯甲醛产率约778 μ mol· (g· h)-1, 催化剂优异的活性归因于超薄片状结构便于电子的分离和传递。

3.2 光降解有机物

独特的层状结构赋予Bi2MoO6较大的表面积, 便于电荷传输和离子的扩散, 减少电化学过程中的容积变化, 有效的光催化降解水中难分解的有机污染物, 如酸性橙、罗丹明等, 在太阳能转换及环境污染治理方面具有重要的研究价值。

Zhang Junlei等[13]报道了一维Bi2MoO6纳米片骨架结构, 相比Bi2MoO6纳米片和纳米颗粒, 这种骨架结构显示出更高的降解罗丹明B和苯酚的光催化性能Chen Wenbin等[27]采用沉淀法和水热法合成CeO2/Bi2MoO6异质结构微球。由于CeO2与Bi2MoO6之间合适的带隙匹配具有协同效应, 在可见光照射下, 该CeO2/Bi2MoO6异质结构微球具有优异的酸性橙II降解活性。

3.3 电化学储能

多孔性和分级纳米薄片结构使钼酸铋微球具有较高的容量, 可以作为新型负极材料, 极大地促进了锂离子电池负极材料发展。

Chen Junhui等[28]采用一步无模板法制备了生长在三维Ni泡沫上的分级Bi2MoO6纳米片阵列, 可直接用作无粘结剂的集成锂离子电池电极, 具有2 311.7 μ Ah· cm-2(1 741.4 mAh· g-1)的超高可逆放电容量和极好的循环稳定性。

Ma Ying等[29]报道了大规模生长在强粘附性导电衬底上Bi2MoO6纳米片用作高性能电极的快速水热方法。结果表明, 泡沫镍有利于形成具有快速电子和离子输运的均匀纳米片阵列, 该纳米阵列具有较大的电活性表面积和优异的结构稳定性, 电流密度2 A· g-1下, 循环1 000次后, 仍保持原始比电容的89%。

3.4 CO2还原

通过电化学或光化学手段还原CO2并使之转变成对人类有益的碳氢化合物燃料(如甲烷、甲醇、乙醇等)是一种有效的降低大气中CO2浓度的绿色方法。

Dai Weili等[30]以聚乙烯吡咯烷酮为晶体生长调节剂, 采用水热法合成层状花状Bi2MoO6微球, 在可见光照射下, 评价Bi2MoO6样品光催化还原CO2制备甲醇和乙醇活性。研究表明, Bi2MoO6微球具有较高的光催化活性, 可见光辐照4 h后, 甲醇和乙醇产率分别为24.8 μ mol· g-1和18.8 μ mol· g-1, 高于Bi2WO6空心微球的活性。

Zhang Yuan等[31]以油酸钠为表面活性剂, 采用水热法制备三维Bi2MoO6纳米带。该三维Bi2MoO6纳米带具有独特网络结构, 比表面积较大, 间接带隙2.92 eV。将其用于CO2光催化还原合成CH4, 光可见光照射4 h时, CH4产率1.15 μ mol· g-1

3.5 气体传感器

Cui Xinlei等[32]采用溶剂热法, 在陶瓷管上原位生长由紧密堆积的纳米颗粒组成的花状Bi2MoO6微球, 系统研究花状Bi2MoO6微球传感器的气敏性能。该传感器具有优异的H2S传感性能, 检测限为0.1× 10-9, 选择性好, 灵敏度高, 稳定性好。这种优异的H2S传感性能可能是由于Bi2MoO6微球独特的结构和良好的结晶性能所致。

4 结语与展望

目前, 钼酸铋光催化剂通常采用水热法制备, 其它方法研究相对较少。由于纯相催化剂的光催化活性较差, 钼酸铋可通过调控组成、形貌和结构等多种方法进一步增强光催化性能, 在可见光光催化降解有机污染物中应用较广。钼酸铋光催化剂的研究仍存在较大的探索空间, 主要体现在以下几个方面:

(1) 形貌调控。目前已经开发出多种形貌的钼酸铋光催化剂, 如颗粒状、微球状和管状, 在一定程度上提高了钼酸铋的光催化活性。今后可继续调控钼酸铋形貌, 调节材料片层厚度或粗细, 增加活性暴露面的比例, 以获得更大的比表面积和更多的反应活性位, 从而提高材料光催化性能。

(2) 催化剂的回收。钼酸铋大部分是粉体材料, 给催化剂回收带来很大困难, 容易引起二次污染。如今后能将钼酸铋光催化剂进行固定化或直接在钼基底上生长钼酸铋, 将给实际应用带来曙光。

(3) 应用领域。钼酸铋光催化剂具有较正的导带位置, 氧化能力强, 目前应用集中在光催化降解有机污染物和产O2方面。有关光解水产H2和CO2还原方面的研究仍然很少, 主要是原因是Bi2MoO6的还原能力较弱。今后应考虑与还原能力较强的窄带隙半导体耦合, 扩大其应用范围。

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